物理與光電工程學(xué)院徐永貴在快速熱退火調(diào)制MOS器件性能機(jī)理方面取得重要進(jìn)展,，相關(guān)研究成果以“不同退火氛圍對(duì)TiN/HfO₂/SiO₂/Si 結(jié)構(gòu)電荷分布的影響”為題發(fā)表于半導(dǎo)體技術(shù)（DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.01.010）,。

熱退火技術(shù)是集成電路制造過程中用來改善材料性能的重要手段,，系統(tǒng)分析了兩種不同的退火條件( 氨氣氛圍和氧氣氛圍) 對(duì)TiN/HfO₂/SiO₂/Si 結(jié)構(gòu)中電荷分布的影響,，給出了不同退火條件下SiO₂/Si 和HfO₂/SiO₂界面的界面電荷密度,、HfO₂的體電荷密度以及HfO₂ /SiO₂界面的界面偶極子的數(shù)值,。研究結(jié)果表明，在氨氣和氧氣氛圍中退火會(huì)使HfO₂/SiO₂界面的界面電荷密度減小,、界面偶極子增加，而SiO₂/Si 界面的界面電荷密度幾乎不受退火影響,。最后研究了不同退火氛圍對(duì)電容平帶電壓的影響,，發(fā)現(xiàn)兩種不同的退火條件都會(huì)導(dǎo)致TiN/HfO₂/ SiO₂/Si 電容結(jié)構(gòu)平帶電壓的正向漂移，基于退火對(duì)其電荷分布的影響研究,，此正向漂移主要來源于退火導(dǎo)致的HfO₂/SiO₂界面的界面偶極子的增加,。

（物理與光電工程學(xué)院）